大基金为第一大股东 拓荆科技拟募10亿冲刺科创板

背靠大基金、中微公司的拓荆科技正式启动科创板IPO。

7月12日,拓荆科技股份有限公司(简称“拓荆科技”)冲刺科创板IPO获上交所受理,本次拟募资10亿元。

值得注意的是,拓荆科技主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务。虽然拓荆科技无控股股东、实际控制人,但已获得国家集成电路基金(即大基金)、中微公司等一众半导体产业界龙头青睐,其中大基金更是公司第一大股东,持股26.48%。

中芯国际均为其客户

拓荆科技成立于2010年4月,是由海外专家团队和中科院所属企业共同发起成立的国家高新技术企业,专业从事高端半导体薄膜设备的研发、生产、销售与技术服务。公司多次承担国家重大专项。2016年、2017年、2019年获评中国半导体行业协会授予的“中国半导体设备五强企业”称号。

拓荆科技聚焦的半导体薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造三大核心设备。公司主要产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备和次常压化学气相沉积(SACVD)设备三个产品系列,已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线,并已展开10nm及以下制程产品验证测试。

据了解,拓荆科技是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD、SACVD设备厂商,公司产品已成功应用于中芯国际、华虹集团、长江存储、厦门联芯、燕东微电子等行业领先集成电路制造企业产线,累计发货超150套机台,不同工艺型号的机台配适国内厂商各类介质薄膜沉积的制造需求,有效降低国内集成电路生产线对国际设备厂商的依赖。

值得注意的是,目前拓荆科技尚未实现盈利。财务数据显示,2018年、2019年、2020年、2021年一季度营收分别为7064.40万元、2.51亿元、4.36亿元、5774.10万元;同期分别亏损1.03亿元、1936.64万元、1169.99万元、1058.92万元。

拓荆科技表示,报告期内尚未实现盈利,主要由于半导体设备行业技术含量高,研发投入大,产品验证周期长,公司需要持续进行了大量的研发投入。报告期内,公司研发费用分别为1.08亿元、7431.87万元、1.23亿元和2714.86万元,占各期营业收入的比例为152.84%、29.58%、28.19%和47.02%。研发费用金额较高和占营业收入的比例较大,是公司亏损主要原因。

背靠大基金

拓荆科技股东名单可谓星光熠熠。

招股书显示,最近两年,拓荆科技第一大股东所持股股权比例不足控股,其他股东持股比例相对分散,使得公司不存在控股股东、实际控制人。大基金、国投上海、中微公司分别持有拓荆科技26.48%、18.23%、11.2%的股权。公司董事长吕光泉持有50万股,占总股本的0.53%。

董事长吕光泉在半导体领域有着深厚的履历。1965年出生的吕光泉是美国加州大学圣地亚哥分校博士,历任美国科学基金会尖端电子材料研究中心电子材料副研究员;美国诺发高级工程师、PECVD工艺研发部经理、项目主任兼工艺研发高级经理、ALD技术高级经理;德国爱思强公司工程技术副总裁。2014年9月至今,就职拓荆科技,历任技术总监、总经理、董事,现任公司董事长。

本次拓荆科技拟募集资金10亿元,投向高端半导体设备扩产项目、先进半导体设备的技术研发与改进项目、ALD设备研发与产业化项目以及补充流动资金。

虽然背靠知名股东,但目前拓荆科技的竞争环境仍然激烈。国际巨头企业拥有客户端先发优势,产品线丰富、技术储备深厚、研发团队成熟、资金实力较强等优势,国际巨头还能为同时购买多种产品的客户提供捆绑折扣。

2019年度,在CVD设备全球市场中,应用材料(AMAT)、泛林半导体(Lam)、东京电子(TEL)的市场占有率分别为30%、21%和19%;在ALD设备全球市场中,东京电子(TEL)、先晶半导体(ASMI)的市场占有率分别为31%和29%。相比国际巨头,公司的综合竞争力处于弱势地位,市场占有率较低。

另外,国内半导体设备厂商存在互相进入彼此业务领域,开发同类产品的可能。例如,在ALD设备领域,除发行人外,北方华创、盛美股份、屹唐股份及中微公司已推出自产设备或有进入ALD设备市场的计划。拓荆科技面临国际巨头以及潜在国内新进入者的双重竞争。如果公司无法有效应对市场竞争环境,则公司的行业地位、市场份额、经营业绩等均会受到不利影响。

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